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    wafer的良率,是芯片研發(fā)過程中不可忽視的關(guān)鍵指標(biāo),在晶片研發(fā)制造過程中,晶圓經(jīng)各類的晶圓鍵合工藝將襯底、單晶硅片等鍵合在一起。由于工藝以及材料本身應(yīng)力影響,結(jié)合面的分層缺陷是晶圓制成工藝的常見缺陷,其中任何雜質(zhì)、氣泡等存在都會(huì)導(dǎo)致靖遠(yuǎn)片的整體失效,存在晶圓間的缺陷早已經(jīng)逃出了靠人本身可以辨別之外。在國際上,人們常借助高分辨率的超聲SAT檢測設(shè)備來檢測晶圓內(nèi)部諸如鍵合分層、裂紋,空洞,等缺陷。

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